СВЧ-дефростер для размораживания мясных продуктов и рыбы

Установки молекулярно-лучевой эпитаксии серии STE3N* специально разработаны с учетом специфики роста материалов A3N и обеспечивают чрезвычайно широкий технологический диапазон доступных ростовых параметров (эффективный поток азота, температура подложки, рабочий вакуум). В конструкции установок успешно решена задача обеспечения предельно высоких температур на подложке (>1200°С), что позволяет выращивать толстые высококачественные буферные слои AlN/AlGaN с использованием аммиака в качестве источника азота. Данная технология обеспечивает получение активных слоёв полупроводниковых приборов с рекордно низкой для МЛЭ плотностью дислокаций.

Универсальная компактная трехкамерная установка разработана для выращивания широкого спектра полупроводниковых соединений А3В5 и широкозонных соединений А2В6, а также в специальном исполнении — А3N, выполнена с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников в данных системах материалов. Областью применения установки является широкий спектр НИР и НИОКР по приборной тематике, основанной на материалах А3В5/А2В6 и A3N.

STE35 представляет собой современную технологическую платформу для прецизионного выращивания эпитаксиальных слоев на подложках диаметром до 100 мм, а также трех подложках диаметром 2” в одном процессе. Областью применения установки МЛЭ STE35 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур в режиме “lab to fab” в системах материалов InAlGaAsSb или InGaAlN в режиме РА-МВЕ. Система STE35 создана на основе более чем 25-летнего опыта наших специалистов в области разработки и производства молекулярно-лучевой эпитаксии.

Нагрев нефти