Благодаря диэлектрическим и кристаллографическим свойствам сапфир представляет собой великолепный материал для изготовления различных пластин электронного применения. Сапфир является основным материалом при производстве светоизлучающих диодов, поскольку его кристаллическая решетка позволяет наращивать эпитаксиальный слой нитрида галлия (GaN) с хорошими рабочими характеристиками и соотношением цена/качество; кроме того, он достаточно широко распространен.

Монокристаллическая форма оксида алюминия (Al2O3)