Благодаря физико-химическим свойствам сапфир является незаменимым компонентом для ряда высокотехнологичных применений. Кристаллическая решетка сапфира идеально подходит для массового производства светоизлучающих диодов на основе нитрида галлия (GaN).
Последние достижения в выращивании и обработке сапфира делают этот уникальный материал доступным для новых перспективных применений: от эстетической стоматологии до иллюминаторов космических станций или подложек высокочастотных микросхем, устойчивых к радиации.

Высокая твердость сапфира, его исключительная химическая стойкость, низкий коэффициент преломления и температура плавления выше 2000 °С позволяют говорить о синтетическом сапфире как об универсальном материале будущего.
Характеристики сапфира
Общие
Химическая формула: Al2O3
Метод выращивания: Киропулос
Структура: гексагональная с элементами ромбоэдрической
a = b = 4,77 A
c = 13,04 A
Тепловые
Температура плавления: 2050 °C
Коэффициент линейного расширения: 6,7 x 10-6 / °C параллельно оси С
5,0 x 10-6 / °C перпендикулярно оси С
Теплопроводность: 46,06 Вт/(м*K)(0°C)
Механические
Плотность: 3,98 г/см3
Твердость: По Моосу: 9
По Кнупу: 1900 параллельно оси С
2200 перпендикулярно оси С
Предел прочности на разрыв: 400 МПа (25°C), 275 МПа (500°C), 345 МПа (1000°C)
Прочность на изгиб: 450 - 895 МПа
Напряжение при сжатии: 2,0 ГПа
Модуль Юнга (модуль упругости) 345 ГПа
Электрические
Диэлектрическая проницаемость: 9,3 (103 - 109 Гц, 25°C) перпендикулярно оси С
11,5 (103 - 109 Гц, 25°C) параллельно оси С
Удельное сопротивление: 1016 Ом·см (25°C)
1011 Ом·см (500°C)
106 Ом·см (1000°C)