IGBT транзисторы используются как силовые ключи для работы в областях высоких напряжений и токов.

Полевые MOSFET-транзисторы производства «Ангстрем» - это полностью российская разработка, выпускающаяся на кристаллах собственной разработки и не уступающая по характеристикам мировым аналогам.

Одной из важных тенденций развития составляющих компонентной базы современных средств радиолокации, навигации и связи является изменение самого понятия компонентной базы. Так с появлением мощных внутрисогласованных СВЧ транзисторов сам транзистор превратился из одноэлементного устройства в сложную многоэлементную гибридно-монолитную интегральную схему, размещаемую в индивидуальном корпусе. Последние годы характеризуются все более отчетливой тенденцией превращения самого усилителя мощности во все более унифицированный компонент аппаратуры потребителя.