.jpg) |
.jpg)
Биполярные импульсные СВЧ транзисторы
Одной из важных тенденций развития составляющих компонентной базы современных средств радиолокации, навигации и связи является изменение самого понятия компонентной базы. Так с появлением мощных внутрисогласованных СВЧ транзисторов сам транзистор превратился из одноэлементного устройства в сложную многоэлементную гибридно-монолитную интегральную схему, размещаемую в индивидуальном корпусе. Последние годы характеризуются все более отчетливой тенденцией превращения самого усилителя мощности во все более унифицированный компонент аппаратуры потребителя.
Артикул:
Поставщик:
АО "Российская электроника"Описание
ОАО «НПП «Пульсар», являясь одним из лидеров отечественной электронной промышленности, имеет многолетний опыт в разработке и производстве мощных внутрисогласованных биполярных СВЧ транзисторов рассматриваемого диапазона. За время работы им целенаправленно накоплена большая статистика по значениям показателей их эксплуатационной надежности. Так партия мощных СВЧ транзисторов более 10 лет назад была установлена на испытания на долговечность. Испытания проводились при температуре p-n перехода транзисторов +150°С. За анализируемый срок (88 тысяч часов) отказов приборов не зафиксировано. Полученное значение наработки позволило (с учетом величины энергии активации 1 эВ, свойственной транзисторам НПП «Пульсар» с золотой металлизацией) построить на основе уравнения Аррениуса зависимость расчетного значения показателей наработки в зависимости от температуры поверхности транзистора.
Расчетно-экспериментальная зависимость наработки (с вероятностью 98%) мощных биполярных СВЧ транзисторов производства НПП «Пульсар» в зависимости от температуры кристалла.
В ОАО «НПП «Пульсар» ведется целенаправленная работа по совершенствованию характеристик мощных СВЧ транзисторов. Так в текущем году завершаются ОКР по разработке приборного ряда мощных СВЧ транзисторов на диапазоны частот 1.2-1.44 ГГц и 2.7-3.1 ГГц со следующими основными характеристиками:
Приборный ряд мощных СВЧ транзисторов на диапазон частот 2,7-3,1 ГГц
рабочий диапазон частот 2.7-3.1 ГГц;
длительность импульсов до 300 мкс при скважности ≥7;
группа А: Рвых≥100Вт, кпд≈30%, Кур≥6дБ, Епит=36-38В;
группа Б: Рвых≥50Вт, кпд≈32%, Кур≥7дБ, Епит=36-38В;
группа В: Рвых≥25Вт, кпд≈33%, Кур≥7дБ, Епит=36-38В;
группа Г: Рвых≥5Вт, кпд≈34%, Кур≥7дБ, Епит=16В;
группа Д: Рвых≥2.5Вт, кпд≈35%, Кур≥7дБ, Епит=16В;
Приборный ряд мощных СВЧ транзисторов на диапазон частот 1.2-1.44 ГГц
рабочий диапазон частот 1.2-1.44 ГГц;
длительность импульсов до 5 мс при скважности ≥6;
группа А: Рвых≥150Вт, кпд≈45%, Кур≥7дБ, Епит=30-35В;
группа Б: Рвых≥75Вт, кпд≈45%, Кур≥7дБ, Епит=30-35В;группа В: Рвых≥20Вт, кпд≈45%, Кур≥7дБ, Епит=30-35В;
Расчетно-экспериментальная зависимость наработки (с вероятностью 98%) мощных биполярных СВЧ транзисторов производства НПП «Пульсар» в зависимости от температуры кристалла.
В ОАО «НПП «Пульсар» ведется целенаправленная работа по совершенствованию характеристик мощных СВЧ транзисторов. Так в текущем году завершаются ОКР по разработке приборного ряда мощных СВЧ транзисторов на диапазоны частот 1.2-1.44 ГГц и 2.7-3.1 ГГц со следующими основными характеристиками:
Приборный ряд мощных СВЧ транзисторов на диапазон частот 2,7-3,1 ГГц
рабочий диапазон частот 2.7-3.1 ГГц;
длительность импульсов до 300 мкс при скважности ≥7;
группа А: Рвых≥100Вт, кпд≈30%, Кур≥6дБ, Епит=36-38В;
группа Б: Рвых≥50Вт, кпд≈32%, Кур≥7дБ, Епит=36-38В;
группа В: Рвых≥25Вт, кпд≈33%, Кур≥7дБ, Епит=36-38В;
группа Г: Рвых≥5Вт, кпд≈34%, Кур≥7дБ, Епит=16В;
группа Д: Рвых≥2.5Вт, кпд≈35%, Кур≥7дБ, Епит=16В;
Приборный ряд мощных СВЧ транзисторов на диапазон частот 1.2-1.44 ГГц
рабочий диапазон частот 1.2-1.44 ГГц;
длительность импульсов до 5 мс при скважности ≥6;
группа А: Рвых≥150Вт, кпд≈45%, Кур≥7дБ, Епит=30-35В;
группа Б: Рвых≥75Вт, кпд≈45%, Кур≥7дБ, Епит=30-35В;группа В: Рвых≥20Вт, кпд≈45%, Кур≥7дБ, Епит=30-35В;