 |
ЭМ-5534 БАМПИНГ-СТЕППЕР
Степпер ЭМ-5534 выполняет совмещение и проекционный перенос в масштабе 1:1 изображения промежуточного шаблона на полупроводниковую пластину, покрытую слоем фоторезиста, с последующей мультипликацией изображения по всей пластине.
Артикул:
Поставщик:
ОАО "КБТЭМ-ОМО"Описание
Степпер ЭМ-5534 предназначен для выполнения технологической операции фотолитографии в толстых (до 200 мкм) слоях фоторезистов. Может использоваться в производстве формирования столбиковых выводов ( Bumping) п/п кристаллов, а также в операциях фотолитографии для изготовления МЭМС.
Технические характеристики установки
Диаметр пластин, дюйм 6, 8, 12, 18
Размер фотошаблона, дюйм 6
Фотолитографическое разрешение(L/S), мкм
- при толщине резиста 1мкм 4
- при толщине резиста 30мкм 5
Глубина фокуса, мкм ±50
Рабочее поле объектива, мм 115х120
Диапазон автоматического изменения масштаба, ррm ±30
Рабочая длина волны, нм i+h+g-line
Потребляемая мощность, не более, кВт 6.5
Технические характеристики установки
Диаметр пластин, дюйм 6, 8, 12, 18
Размер фотошаблона, дюйм 6
Фотолитографическое разрешение(L/S), мкм
- при толщине резиста 1мкм 4
- при толщине резиста 30мкм 5
Глубина фокуса, мкм ±50
Рабочее поле объектива, мм 115х120
Диапазон автоматического изменения масштаба, ррm ±30
Рабочая длина волны, нм i+h+g-line
Потребляемая мощность, не более, кВт 6.5