 |
ЭМ-5434М УСТАНОВКА ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ СОЕДИНЕНИЙ
Степпер ЭM-5434M предназначен для выполнения технологической операции литографии в производстве печатных плат (IC Substrate) для технологии сборки микросхем методом Flip Chip (BGA/CSP).
Универсальность установки заключается в возможности работы с толстым фоторезистом (50 мкм) и управлением углом наклона стенок фоторезиста.
Артикул:
Поставщик:
ОАО "КБТЭМ-ОМО"Описание
Технические характеристики установки
Разрешение объектива L/S, мкм 8
Рабочее поле объектива, мм 70x250; 85x228
Случайная составляющая погрешности совмещения ±3σ, не более, мкм 1.5
Масштаб проекционного переноса 1:1
Автоматическое изменение масштаба, ррm ±1000
Дисторсия объектива, не более, мкм ±2.5
Глубина резкости объектива, мкм ±100
Рабочие длины волн i-(365нм)
h-(405нм)
g-(436нм)
Плотность мощности экспонирующего света в плоскости пластины, мВ/см2 220
Неравномерность освещенности поля изображения, не более, % ±5
Погрешность отработки дозы экспозиции, % ±3
Размер фотошаблона, мм 254х305
Потребляемая мощность, не более, кВт 7
Разрешение объектива L/S, мкм 8
Рабочее поле объектива, мм 70x250; 85x228
Случайная составляющая погрешности совмещения ±3σ, не более, мкм 1.5
Масштаб проекционного переноса 1:1
Автоматическое изменение масштаба, ррm ±1000
Дисторсия объектива, не более, мкм ±2.5
Глубина резкости объектива, мкм ±100
Рабочие длины волн i-(365нм)
h-(405нм)
g-(436нм)
Плотность мощности экспонирующего света в плоскости пластины, мВ/см2 220
Неравномерность освещенности поля изображения, не более, % ±5
Погрешность отработки дозы экспозиции, % ±3
Размер фотошаблона, мм 254х305
Потребляемая мощность, не более, кВт 7