Область применения: излучатели для ПЗС - фотоприемников, фотолюминесцентные излучатели, ИК- излучатели для охранных систем, приборов ночного видения, приборов дистанционного контроля, оптической связи, измерительных систем и т.д.

Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-135А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.

Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-137А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.

Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ-527 (ЖГДК.433755.060-03) импульсного режима работы (далее - МПЛ) предназначен для работы в составе герметизированной аппаратуры.