Продукция
Агрегаты питания АП.А.
Поставщик: АО "Российская электроника"
Предназначены для питания гальванических ванн постоянным током положительной и отрицательной полярности, импульсами прямоугольной формы, периодическим током заданной формы. Агрегаты имеют блочно-модульную конструкцию и выпускаются в настольном исполнении с номинальным амплитудным током 10 (20; 50; 100) А соответственно.
Агрегат выпрямительный
Поставщик: АО "Российская электроника"
Агрегат выпрямительный, основанный на высокочастотном преобразовании энергии, используется в составе гальванических линий для процессов: золочение, серебрение, платинирование, палладирование - гальванические покрытия драгоценными металлами; меднение, никелирование, олово-висмут, цинкование, кадмирование – гальванические покрытия функциональными металлами; анодирование алюминия и других потребителей стабилизированного тока.
Насос центробежный муфтовый НЦ.М3-4
Поставщик: АО "Российская электроника"
Предназначены для перекачивания агрессивных и нейтральных жидкостей с плотностью не более 1200 кг/м и температурой от +7 до +60°С, не содержащих твердых магнитных частиц. Бессальниковая конструкция насоса исключает утечку перекачиваемой жидкости и ее контакт с химически нестойкими материалами.
Установка проявления позитивного фоторезиста УПФ-1
Поставщик: АО "Российская электроника"
Установка предназначена для проявления негативного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87. Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2. Требуется устройство сливного вывода в канализацию.
Установка проявления негативного фоторезиста УПФ-2
Поставщик: АО "Российская электроника"
Установка предназначена для проявления позитивного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87. Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2.
Установка нанесения позитивного фоторезиста УНФ-1
Поставщик: АО "Российская электроника"
Установка предназначена для нанесения позитивного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87.
Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2.
Установка нанесения негативного фоторезиста УНФ-2
Поставщик: АО "Российская электроника"
Установка предназначена для нанесения негативного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87. Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2.
Технохимическое оборудование для полупроводникового производства
Поставщик: АО "Российская электроника"
Комплект оборудования для технохимической обработки подложек в производстве микрополосковых плат в составе:
Линия химического осаждения золота;
Линия подготовки поверхности меди перед нанесением фоторезиста на проводниковые слои и перед золочением;
Линия травления резистивных слоев;
Линия химической подготовки подложек перед напылением резистивных и проводниковых слоев;
Линия предварительной химической подготовки подложек перед напылением.