 |
P-i-n фотодиод на основе кремния ФД342М
Фотодиод предназначен для применения в качестве высокочувствительного быстродействующего приемника инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры различного назначения.
Артикул:
Поставщик:
АО "Швабе"Описание
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном
Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1
Диаметр ФЧЭ, мм 14
Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1
Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3
Темновой ток, мкА, не более 7
Емкость фотодиода, пФ, не более 90
Рабочее напряжение, В 25
Граничная частота, МГц, не менее 5
Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1
Диаметр ФЧЭ, мм 14
Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1
Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3
Темновой ток, мкА, не более 7
Емкость фотодиода, пФ, не более 90
Рабочее напряжение, В 25
Граничная частота, МГц, не менее 5