Осаждение SiNx и SiO2 толщиной от 0,3 до 1 мкм методом PECVD

Плазмохимическое травление пленок SiNx и SiO2 толщиной от 0,3 до 1 мкм

Плазмохимическое травление пленок AlxGa1-xN (x=0..1) толщиной от 0,3 до 2 мкм

Плазмохимическое травление пленок AlxGa1-xAs (x=0..1) толщиной от 0,3 до 10 мкм

Травление мезы межприборной изоляции в AlxGa1-xN