Изготовление фоторезистивных масок на подложках диаметром 50.8, 76.2, 100 мм методом контактной фотолитографии при толщине фоторезистов от 0,35 до 1,5 мкм с проектной нормой 0,5 мкм на подложках диаметром до 76.2 мм включительно и 1 мкм на подложках диаметром более 76 мм

То же при двухслойных масках для взрывной литографии

Изготовление фоторезистивных масок на подложках диаметром от 50,8 до 100 мм методом электронно-лучевой литографии при толщине фоторезистов от 0,2 до 0,8 мкм с проектной нормой 0,2

То же, но с совмещением ЭЛЛ топологии с топологией на пластине