За 1 процесс обрабатываются:

Подложки диаметром 50.8 – 42 шт.

Подложки диаметром 76.2 – 17 шт.

Подложки диаметром 76.2 – 5 шт.

Электронно-лучевое напыление тонких металлических пленок и их комбинаций на холодную подложку диаметром 50.8, 76.2, 100 мм под взрывную литографию и гальванических коммутационных слоев с запылением вертикальных стенок, в том числе с ионной очисткой поверхности или ионным ассистированием:

Al: от 10 нм до 5 мкм

Ni: от 10 нм до 250 нм

Ti: от 10 нм до 500 нм

Mo: от 10 нм до 500 нм

Ge: от 10 нм до 200 нм

In: от 0,5 до 3мкм

Au: от 10 нм до 1 мкм