Описание
Утонение сапфировых подложек ф50,8 и ф76,2 мм методом глубокой шлифовки-полировки
до 100 мкм
до 45 мкм
Утонение структур AlGaN/SiC и подложек SiC ф50,8 и ф76,2 мм методом глубокой шлифовки-полировки до 100 мкм
Утонение подложек GaAs до 100 мкм методом химико-механической полировки:
ф50,8 мм
ф76,2 мм
ф100 мм
до 100 мкм
до 45 мкм
Утонение структур AlGaN/SiC и подложек SiC ф50,8 и ф76,2 мм методом глубокой шлифовки-полировки до 100 мкм
Утонение подложек GaAs до 100 мкм методом химико-механической полировки:
ф50,8 мм
ф76,2 мм
ф100 мм