Описание

Выполнены по специально разработанной планарной технологии с возможностью контроля динамических параметров (времени обратного восстановления). Такая гибкость позволяет адаптировать диоды под конкретные задачи потребителя. Выпускаются в виде антипараллельных диодов в IGBT транзисторах, а также доступны в дискретном исполнении.

Дискретные FRD выполнены в корпусах: TO-220, TO-263, TO- 247, SOT-227.

Линейка дискретных FRD диодов представлена в диапазоне:

• Напряжение от 400 до 1700 В,
• Ток от 15 до 100 А.

Конфигурация дискретных диодов: одиночный диод, с общим анодом, с общим катодом.

Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.

Преимущества:

• Низкие потери энергии при переключении;
• Мягкое, быстрое восстановление диода;
• Температура перехода 150 °C;
• Низкое прямое падение напряжения.



Технические характеристики
Артикул AnP30FRD06
If 30А
Vr 600В
trr 300
Корпус TO220
Конфигурация single diode
Готовность производства Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17