Радиационно-стойкая полузаказная СБИС СнК 5512БП2Ф со встроенным МП ядром
Радиационно-стойкая полузаказная СБИС 5512БП2Ф типа "система на кристалле" (СнК) со встроенным микропроцессорным ядром - развитие микросхемы К5512БП1Ф, предназначена для создания на ее основе специализированных СБИС малой тиражности для радиационно-стойкой аппаратуры ответственного назначения. СБИС обеспечивает проектирование на ее основе схем требуемого функционального назначения со специализированным программным обеспечением, реализуемым микропроцессорным ядром и аппаратной реализацией специальных функций на «зашивках» БМК. В результате заказчик получает специализированную программно-аппаратную СБИС СнК. Являясь лицензионно чистым продуктом, изготавливаемом на отечественной технологической линейке (ОАО "НИИМЭ и Микрон"), такая СБИС может оказаться единственным решением, соответствующим требованиям применения в радиационно-стойкой аппаратуре ответственного назначения.
Артикул:
Поставщик:
АО "Российская электроника"Описание
Технические характеристики
технология изготовления: 0,24 мкм КМОП КНИ (отечественная фабрика);
корпус металлокерамический типа CPGA;
количество выводов - 325;
напряжение питания - 3,3 В;
рабочая частота микропроцессора до 150 МГц;
рабочая частота сопроцессора модульной арифметики до 50 МГц;
рабочая температура - 40÷ + 125 °С;
средняя потребляемая мощность не более 500 мВт
технология изготовления: 0,24 мкм КМОП КНИ (отечественная фабрика);
корпус металлокерамический типа CPGA;
количество выводов - 325;
напряжение питания - 3,3 В;
рабочая частота микропроцессора до 150 МГц;
рабочая частота сопроцессора модульной арифметики до 50 МГц;
рабочая температура - 40÷ + 125 °С;
средняя потребляемая мощность не более 500 мВт