Полузаказная СБИС СнК 5512БП1Ф со встроенным МП ядром
Полузаказная СБИС К5512БП1Ф типа "система на кристалле" (СнК) со встроенным микропроцессорным ядром предназначена для создания на ее основе специализированных СБИС малой тиражности для аппаратуры ответственного назначения. СБИС обеспечивает проектирование на ее основе схем требуемого функционального назначения со специализированным программным обеспечением, реализуемым микропроцессорным ядром и аппаратной реализацией специальных функций на "зашивках" БМК. В результате заказчик получает специализированную программно-аппаратную "систему в кристалле". Являясь лицензионно чистым продуктом, изготавливаемом на отечественной технологической линейке (ОАО "НИИМЭ и Микрон"), такая СБИС может оказаться единственным решением, соответствующим требованиям применения в аппаратуре специального и ответственного назначения
Артикул:
Поставщик:
АО "Российская электроника"Описание
Технические характеристики
техпроцесс КМОП 0,18 мкм HCMOS8D
(отечественная фабрика);
корпус металлокерамический типа CPGA325;
количество выводов – 226;
напряжение питания – 1,8 В/3,3 В;
рабочая частота микропроцессора 150 МГц;
рабочая частота сопроцессора модульной арифметики - 50 Мгц;
рабочая температура – 40 ÷ +125°С;
средняя потребляемая мощность не более 400 мВт;
зарубежные аналоги не известны.
техпроцесс КМОП 0,18 мкм HCMOS8D
(отечественная фабрика);
корпус металлокерамический типа CPGA325;
количество выводов – 226;
напряжение питания – 1,8 В/3,3 В;
рабочая частота микропроцессора 150 МГц;
рабочая частота сопроцессора модульной арифметики - 50 Мгц;
рабочая температура – 40 ÷ +125°С;
средняя потребляемая мощность не более 400 мВт;
зарубежные аналоги не известны.