 |
.png)
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СВЧ-ПРИБОРЫ
В настоящее время на НПП "Исток" используются технологии изготовления:
гибридно-монолитных интегральных схем (ГМИС) на пластинах монокристаллического сапфира;
малошумящих и мощных транзисторов с длиной затвора 0,2 мкм;
металлизированных отверстий в арсениде галлия;
"воздушных мостов" для межпересечений;
тонкопленочных резисторов, конденсаторов и индуктивностей для пассивной части МИС СВЧ
Артикул:
Поставщик:
АО "Российская электроника"Описание
Для достижения паритета в развитии отечественной технологии монолитных интегральных схем СВЧ разрабатываются:
технология изготовления Т- образного затвора длиной 0,1 мкм;
технология изготовления гетероструктур с высокой подвижностью электронов.
На НПП "Исток" построена первая в России пилотная линия по разработке и производству транзисторов и МИС СВЧ с размерной обработкой 0,1 мкм и объёмом выпуска 1 млн кристаллов в год. Создание этой линии решило задачу производства современных транзисторов типа НFЕТ, PНЕМТ и МИС СВЧ на их основе в диапазоне 1...40 ГГц, что позволит удовлетворить самые высокие требования техники мирового уровня и обеспечить транзисторами и МИС СВЧ всех заинтересованных заказчиков
технология изготовления Т- образного затвора длиной 0,1 мкм;
технология изготовления гетероструктур с высокой подвижностью электронов.
На НПП "Исток" построена первая в России пилотная линия по разработке и производству транзисторов и МИС СВЧ с размерной обработкой 0,1 мкм и объёмом выпуска 1 млн кристаллов в год. Создание этой линии решило задачу производства современных транзисторов типа НFЕТ, PНЕМТ и МИС СВЧ на их основе в диапазоне 1...40 ГГц, что позволит удовлетворить самые высокие требования техники мирового уровня и обеспечить транзисторами и МИС СВЧ всех заинтересованных заказчиков
Спецификация
1. Specification_RUS.docx