Установка предназначена для плавления исходного сырья, выращивания из расплава кристаллов искусственного корунда и отжига выращенных кристаллов, используемых в качестве исходного сырья для изготовления подложек при производстве сверхъярких диодов и изделий силовой электроники.

Для выращивания кристаллов используется метод Киропулоса. Преимущества данного метода - высокое качество получаемого продукта, высокая скорость роста кристалла и возможность автоматизации процесса.
Технические параметры

Масса кристалла 28/55 кг

Наружные размеры тигля d250х370мм

Материал тигля вольфрам

Способ нагрева резистивный нагрев

Рабочее давление в камере, не более 10-6мм.рт.ст.

Потребляемая мощность 60/80 кВт

Точность поддержания напряжения ± 0,1%

Скорость перемещения штока 0,1-2,0 мм/час

Частота вращения штока 0-20 об/мин


Охлаждение

Расход охлаждающей воды 6м3 /час

Давление охлаждающей воды на входе, не менее 0,2 МПа

Рабочий газ /вакуум/ 10-6мм рт.ст


Электрические характеристики

Питание силовой части 380 В

Частота питающей сети 50 Гц

Установленная мощность 60 кВт

Напряжение питания нагревателя 0-12 В

Питание шкафа управления 220 В


Габаритные размеры установки

Высота максимальная 2700 мм

Длина 2050 мм

Ширина 1600 мм

Искусственные сапфиры широко используются в электронной, оптической, медицинской промышленности