Описание

Особенности:
- Широкий диапазон перестройки длины волны излучения 700-1000 нм (с одним набором оптики)
- Выходная мощность более 1500 мВт на 800 нм
- Возможность интеграции лазера накачки (от 2 до 10 Вт)
- Возможность установки эталонов для получения узкой линии генерации (<2 ГГц)
- Соединение с ПК для автоматизированного изменения длины волны
- Возможность волоконного выхода
Применения:
- Спектроскопия
- Исследования в области
полупроводниковых материалов
- Рамановская спектроскопия